XP2N1K2EN1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

XP2N1K2EN1

Product Overview

Produttore:

YAGEO XSEMI

Numero di Parte:

XP2N1K2EN1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-723

Inventario:

1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
13001041
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XP2N1K2EN1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
XP2N1K2E
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
44 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-723
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Numero di prodotto di base
XP2N

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
XP2N1K2EN1 Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
5048-XP2N1K2EN1DKR
5048-XP2N1K2EN1TR
5048-XP2N1K2EN1CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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