C3M0350120J-TR
Numero di Prodotto del Fabbricante:

C3M0350120J-TR

Product Overview

Produttore:

Wolfspeed, Inc.

Numero di Parte:

C3M0350120J-TR-DG

Descrizione:

SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventario:

13005826
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

C3M0350120J-TR Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Wolfspeed
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
C3M™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
3.6V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
+15V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
345 pF @ 1000 V
Dissipazione di potenza (max)
40.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base
C3M0350120

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
nexperia

GAN190-650FBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

stmicroelectronics

STW65N023M9-4

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

good-ark-semiconductor

GSGA6R015

MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V

panjit

PSMQC094N10NS2_R2_00201

100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO