Numero di Prodotto del Fabbricante:
C3M0015065D
Product Overview
Produttore:
Wolfspeed, Inc.
Numero di Parte:
C3M0015065D-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
912 Pz Nuovo Originale Disponibile
12939808
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C3M0015065D Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Wolfspeed
Imballaggio
Tube
Serie
C3M™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
3.6V @ 15.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
+15V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
416W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
C3M0015065
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
1697-C3M0015065D-M-DG
1697-C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D-M-DG
1697-C3M0015065D
C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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