SQS411ENW-T1_GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SQS411ENW-T1_GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SQS411ENW-T1_GE3-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 39.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

Inventario:

5355 Pz Nuovo Originale Disponibile
13007568
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SQS411ENW-T1_GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.3mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3191 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
39.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8W
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8W
Numero di prodotto di base
SQS411

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati
Certificazione DIGI
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