Numero di Prodotto del Fabbricante:
SISS5623DN-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SISS5623DN-T1-GE3-DG
Descrizione:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 36.3A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
11202 Pz Nuovo Originale Disponibile
13374291
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SISS5623DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.6V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1575 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base
SISS5623
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SISS5623DN-T1-GE3CT
742-SISS5623DN-T1-GE3DKR
742-SISS5623DN-T1-GE3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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