Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIR186DP-T1-RE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIR186DP-T1-RE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
6171 Pz Nuovo Originale Disponibile
13006287
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SIR186DP-T1-RE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
23A (Ta), 60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.6V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1710 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR186
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Certificazione DIGI
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