Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI7430DP-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI7430DP-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
6014 Pz Nuovo Originale Disponibile
13061060
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SI7430DP-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1735 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SI7430
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7430DPT1GE3
SI7430DP-T1-GE3CT
SI7430DP-T1-GE3TR
SI7430DP-T1-GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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