SI5459DU-T1-GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SI5459DU-T1-GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SI5459DU-T1-GE3-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Inventario:

2267 Pz Nuovo Originale Disponibile
13056486
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SI5459DU-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
665 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numero di prodotto di base
SI5459

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI5459DU-T1-GE3DKR
SI5459DUT1GE3
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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