Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI3475DV-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
13057239
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SI3475DV-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
SI3475
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI3437DV-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
14589
NUMERO DI PEZZO
SI3437DV-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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