Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI1480DH-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI1480DH-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventario:
2990 Pz Nuovo Originale Disponibile
13061548
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SI1480DH-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
130 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-70-6
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base
SI1480
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI1480DH-T1-BE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SI1480DH-T1-BE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.13
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQD100N03-3M2L_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
