Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRLD024PBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRLD024PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
1136 Pz Nuovo Originale Disponibile
13053827
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IRLD024PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Imballaggio
Tube
Stato parte
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
4-HVMDIP
Pacchetto / Custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numero di prodotto di base
IRLD024
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
*IRLD024PBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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