Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFD224
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFD224-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
13053325
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IRFD224 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Imballaggio
Tube
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
4-HVMDIP
Pacchetto / Custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numero di prodotto di base
IRFD224
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
*IRFD224
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFD224PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
2250
NUMERO DI PEZZO
IRFD224PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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