Numero di Prodotto del Fabbricante:
SUD19N20-90-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SUD19N20-90-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
3073 Pz Nuovo Originale Disponibile
12919272
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SUD19N20-90-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD19
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SUD19N20-90-E3TR
SUD19N2090E3
SUD19N20-90-E3DKR
SUD19N20-90-E3CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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