Numero di Prodotto del Fabbricante:
SUD09P10-195-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SUD09P10-195-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
30863 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918447
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SUD09P10-195-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SUD09
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SUD09P10-195-GE3CT
SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
SUD09P10-195-GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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