SQJ431AEP-T1_GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SQJ431AEP-T1_GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SQJ431AEP-T1_GE3-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

12965817
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SQJ431AEP-T1_GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SQJ431

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
SQJ431AEP-T1_BE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
5335
NUMERO DI PEZZO
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.61
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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