Numero di Prodotto del Fabbricante:
SQJ431AEP-T1_GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SQJ431AEP-T1_GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12965817
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SQJ431AEP-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SQJ431
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SQJ431AEP-T1_BE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
5335
NUMERO DI PEZZO
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.61
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
