SISF20DN-T1-GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SISF20DN-T1-GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SISF20DN-T1-GE3-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Inventario:

RFQ Online
12920684
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SISF20DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1290pF @ 30V
Potenza - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Numero di prodotto di base
SISF20

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
SISF20DN

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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