Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIHU7N60E-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIHU7N60E-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
12921029
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SIHU7N60E-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251AA
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
SIHU7
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPSA70R600P7SAKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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