Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIHG17N60D-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIHG17N60D-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
12787351
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SIHG17N60D-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1780 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
277.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AC
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SIHG17
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFH22N60P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFH22N60P-DG
PREZZO UNITARIO
5.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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