Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIHF12N50C-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIHF12N50C-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventario:
863 Pz Nuovo Originale Disponibile
12920224
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SIHF12N50C-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1375 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220 Full Pack
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
SIHF12
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SIHF12N50C-E3DKR-DG
SIHF12N50C-E3CT
SIHF12N50C-E3CT-DG
SIHF12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHF12N50C-E3TR
SIHF12N50C-E3TR-DG
SIHF12N50C-E3TRINACTIVE
SIHF12N50C-E3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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