SIHA21N60EF-E3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SIHA21N60EF-E3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SIHA21N60EF-E3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventario:

12787527
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

SIHA21N60EF-E3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220 Full Pack
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
SIHA21

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
vishay-siliconix

SIHP21N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

vishay-siliconix

SIHP22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220