Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIA906EDJ-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventario:
119578 Pz Nuovo Originale Disponibile
12915595
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SIA906EDJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350pF @ 10V
Potenza - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numero di prodotto di base
SIA906
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP