Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIA4371EDJ-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIA4371EDJ-T1-GE3-DG
Descrizione:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventario:
5510 Pz Nuovo Originale Disponibile
12974690
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SIA4371EDJ-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.4A (Ta), 9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±12V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SC-70-6
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SC-70-6
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR
742-SIA4371EDJ-T1-GE3CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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