Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI8823EDB-T2-E1
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI8823EDB-T2-E1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Inventario:
2971 Pz Nuovo Originale Disponibile
12913356
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SI8823EDB-T2-E1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
800mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
580 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pacchetto / Custodia
4-XFBGA
Numero di prodotto di base
SI8823
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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