Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI8425DB-T1-E1
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI8425DB-T1-E1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 5.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Inventario:
900 Pz Nuovo Originale Disponibile
12917207
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SI8425DB-T1-E1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
900mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2800 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-WLCSP (1.6x1.6)
Pacchetto / Custodia
4-UFBGA, WLCSP
Numero di prodotto di base
SI8425
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI8425DB-T1-E1CT
SI8425DB-T1-E1DKR
SI8425DB-T1-E1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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