Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI8416DB-T2-E1
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI8416DB-T2-E1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventario:
16052 Pz Nuovo Originale Disponibile
12914146
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SI8416DB-T2-E1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
8 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
800mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1470 pF @ 4 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacchetto / Custodia
6-UFBGA
Numero di prodotto di base
SI8416
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRFZ24STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
