Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI7119DN-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI7119DN-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
32865 Pz Nuovo Originale Disponibile
12914112
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SI7119DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
666 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SI7119
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7119DN-T1-GE3CT
SI7119DN-T1-GE3DKR
SI7119DN-T1-GE3TR
SI7119DNT1GE3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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