Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI7106DN-T1-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI7106DN-T1-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
32856 Pz Nuovo Originale Disponibile
12914723
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SI7106DN-T1-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base
SI7106
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI7106DN-T1-E3CT
SI7106DN-T1-E3TR
SI7106DN-T1-E3DKR
SI7106DNT1E3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI1031X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
