Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI5499DC-T1-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI5499DC-T1-E3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12915882
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SI5499DC-T1-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
8 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
800mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1290 pF @ 4 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
1206-8 ChipFET™
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
SI5499
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI5499DC-T1-E3TR
SI5499DC-T1-E3CT
SI5499DC-T1-E3DKR
SI5499DCT1E3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI5471DC-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
16150
NUMERO DI PEZZO
SI5471DC-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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