Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI4816BDY-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI4816BDY-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12913520
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SI4816BDY-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
LITTLE FOOT®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
-
Potenza - Max
1W, 1.25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
SI4816
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SI4816BDYT1GE3
SI4816BDY-T1-GE3CT
SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDY-T1-GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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