Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI4431CDY-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI4431CDY-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
65416 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918510
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SI4431CDY-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1006 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
SI4431
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SI4431CDYT1GE3
SI4431CDY-T1-GE3DKR
SI4431CDY-T1-GE3CT
SI4431CDY-T1-GE3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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