SI3483CDV-T1-GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SI3483CDV-T1-GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SI3483CDV-T1-GE3-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

86569 Pz Nuovo Originale Disponibile
12917675
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SI3483CDV-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
SI3483

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI3483CDV-T1-GE3CT
SI3483CDV-T1-GE3DKR
SI3483CDVT1GE3
SI3483CDV-T1-GE3TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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