Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI3443BDV-T1-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI3443BDV-T1-E3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
6988 Pz Nuovo Originale Disponibile
12911580
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SI3443BDV-T1-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
SI3443
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI3443BDV-T1-E3TR
SI3443BDV-T1-E3DKR
SI3443BDV-T1-E3CT
SI3443BDVT1E3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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