Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI2307CDS-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI2307CDS-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
106320 Pz Nuovo Originale Disponibile
12915086
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SI2307CDS-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
340 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SI2307
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI2307CDS-T1-GE3TR
SI2307CDS-T1-GE3CT
SI2307CDS-T1-GE3DKR
SI2307CDST1GE3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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