Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRL640PBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRL640PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
5642 Pz Nuovo Originale Disponibile
12910784
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IRL640PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRL640
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRL640PBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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