Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFZ24SPBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFZ24SPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
547 Pz Nuovo Originale Disponibile
12913990
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IRFZ24SPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
640 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IRFZ24
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BUK9675-55A,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
5546
NUMERO DI PEZZO
BUK9675-55A,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STB16NF06LT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1500
NUMERO DI PEZZO
STB16NF06LT4-DG
PREZZO UNITARIO
0.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PHB21N06LT,118
FABBRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
978
NUMERO DI PEZZO
PHB21N06LT,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SIA477EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
IRFR420ATRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
IRFP350LC
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
IRL630S
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK