Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFR9120PBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFR9120PBF-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
3925 Pz Nuovo Originale Disponibile
12915423
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IRFR9120PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IRFR9120
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI4448DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK