IRFR010PBF-BE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRFR010PBF-BE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

IRFR010PBF-BE3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 50 V 8.2A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12978501
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

IRFR010PBF-BE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IRFR010

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
75
Altri nomi
742-IRFR010PBF-BE3

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
diodes

DMP510DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH8001STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMT10H9M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMT6012LPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506