IRFDC20PBF

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRFDC20PBF

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

IRFDC20PBF-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventario:

5886 Pz Nuovo Originale Disponibile

12908571

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IRFDC20PBF Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Vishay

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

320mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

350 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-HVMDIP

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Numero di prodotto di base

IRFDC20

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

100

Altri nomi

*IRFDC20PBF

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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