Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFD120
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFD120-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
12911956
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IRFD120 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
4-HVMDIP
Pacchetto / Custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numero di prodotto di base
IRFD120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFD120PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
5890
NUMERO DI PEZZO
IRFD120PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
IRFD123PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
6628
NUMERO DI PEZZO
IRFD123PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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