Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFBE30SPBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFBE30SPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12885736
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IRFBE30SPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IRFBE30
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRFBE30SPBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB7NK80ZT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
4410
NUMERO DI PEZZO
STB7NK80ZT4-DG
PREZZO UNITARIO
1.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IRF540NSTRLPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7309
NUMERO DI PEZZO
IRF540NSTRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
FQB4N80TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
720
NUMERO DI PEZZO
FQB4N80TM-DG
PREZZO UNITARIO
0.90
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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