Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFBE30L
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFBE30L-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12881584
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IRFBE30L Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
IRFBE30
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRFBE30L
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBF20LPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFBF20LPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
IRFBE30LPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
990
NUMERO DI PEZZO
IRFBE30LPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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