Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF610S
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRF610S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12907636
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IRF610S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IRF610
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRF610S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF610SPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
320
NUMERO DI PEZZO
IRF610SPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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