Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N6661-E3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
2N6661-E3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
12905458
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
2N6661-E3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
90 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-39
Pacchetto / Custodia
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numero di prodotto di base
2N6661
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2N6661
FABBRICANTE
Solid State Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
6694
NUMERO DI PEZZO
2N6661-DG
PREZZO UNITARIO
4.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRFZ14L
MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
IRFD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
