Numero di Prodotto del Fabbricante:
UF3SC120009K4S
Product Overview
Produttore:
Qorvo
Numero di Parte:
UF3SC120009K4S-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
1146 Pz Nuovo Originale Disponibile
12930659
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UF3SC120009K4S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Qorvo
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8512 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
789W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
UF3SC120009
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2312-UF3SC120009K4S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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