UF3SC065040D8S
Numero di Prodotto del Fabbricante:

UF3SC065040D8S

Product Overview

Produttore:

Qorvo

Numero di Parte:

UF3SC065040D8S-DG

Descrizione:

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)

Inventario:

12967200
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

UF3SC065040D8S Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Qorvo
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-DFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
4-PowerTSFN
Numero di prodotto di base
UF3SC065040

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
2312-UF3SC065040D8SDKR
2312-UF3SC065040D8STR
2312-UF3SC065040D8SCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
fairchild-semiconductor

ISL9N308AD3

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

ISL9N315AD3

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

ISL9N322AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ325-AZ

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET