Numero di Prodotto del Fabbricante:
UF3C065080B7S
Product Overview
Produttore:
Qorvo
Numero di Parte:
UF3C065080B7S-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
2961 Pz Nuovo Originale Disponibile
12987825
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
UF3C065080B7S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Qorvo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base
UF3C065080
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
E3M0060065D
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
IPP019N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
GT700P08T
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
