Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH3208PD
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TPH3208PD-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
13445848
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TPH3208PD Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id
2.6V @ 300µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP33N60DM2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3750
NUMERO DI PEZZO
STP33N60DM2-DG
PREZZO UNITARIO
2.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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