Numero di Prodotto del Fabbricante:
TP65H150G4LSG
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TP65H150G4LSG-DG
Descrizione:
GAN FET N-CH 650V PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
2939 Pz Nuovo Originale Disponibile
13275976
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TP65H150G4LSG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.8V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
598 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
3-PQFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
3-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
TP65H150
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TP65H150G4LSG-TR
FABBRICANTE
Transphorm
QUANTITÀ DISPONIBILE
2884
NUMERO DI PEZZO
TP65H150G4LSG-TR-DG
PREZZO UNITARIO
2.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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