Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPN11003NL,LQ-DG
Descrizione:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
2619 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891204
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TPN11003NL,LQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
660 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPN11003
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RQ3E120GNTB
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
11286
NUMERO DI PEZZO
RQ3E120GNTB-DG
PREZZO UNITARIO
0.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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