Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH7R006PL,L1Q
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPH7R006PL,L1Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
54092 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890499
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TPH7R006PL,L1Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1875 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
81W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPH7R006
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
TPH7R006PLL1QCT
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PLL1QDKR
TPH7R006PLL1QTR
TPH7R006PLL1Q
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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